非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管的制備及其光敏特性研究

摘要：基于射頻磁控濺射法制備了以非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)作為有源層的底柵頂接觸式薄膜場效應晶體管(Thin Film Transistor,TFT),其長/寬比為300μm/100μm。研究了該器件在無激光和在三種不同波長激光照射下的光敏特性。實驗表明,器件在波長分別為660、450和405nm三種激光照射下的閾值電壓Vth分別為4.2、2.5和0V,均低于無激光時的4.3V,且器件的閾值電壓隨激光波長減小單調降低,此外,隨著激光波長的下降,'明/暗'電流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V條件下),光敏響應度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可見激光波長越短,可獲得更強的光電效應,光靈敏度也更高,該效應表明該器件在光電探測等領域具有廣闊的應用前景。