基于硝酸鉀溶液的GaN電化學刻蝕技術

摘要：采用基于硝酸鉀溶液的電化學刻蝕工藝,通過橫向刻蝕犧牲層的方法,在金屬有機化學氣相沉積法生長的氮化鎵(GaN)外延層上實現了納米孔與納米薄膜兩種結構。通過掃描電子顯微鏡(SEM)對GaN的表面和截面進行了對比表征。結果表明,由于在刻蝕過程中氧氣的產生,相比于穩定性很好的SiO2,易于氧化剝落的光刻膠在大電壓刻蝕下存在著明顯的缺陷;在刻蝕電壓為12~22 V時犧牲層可以被刻蝕出納米孔結構,且隨著電壓的增加刻蝕孔也會增大;在刻蝕電壓為23 V及以上電壓時犧牲層被完全去除;刻蝕過程中刻蝕速率逐漸降低,100μm的納米薄膜可在270 s時制作完成。