摘要:為產(chǎn)生一個低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電源,設(shè)計一種無運(yùn)算放大器的帶隙基準(zhǔn)電路。通過對晶體管基射級電壓進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償?shù)姆绞?產(chǎn)生具有更低溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。其中二階溫度補(bǔ)償電路采用MOS管,PTAT電流由電流鏡實(shí)現(xiàn),省掉運(yùn)算放大器,節(jié)省芯片面積。電路采用0.5μm BCD工藝進(jìn)行仿真。在5.8 V供電電源下、-40℃~150℃的溫度內(nèi),得到基準(zhǔn)電壓為1.26~1.262 V,溫度系數(shù)為8.07×10^-6/℃。
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