低壓氮化鎵器件諧振驅動技術及其反向導通特性

摘要：繼硅(Si)和砷化鎵(GaAs)之后,半導體材料出現了第三代以氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料,其特點包括臨界擊穿電場高、飽和電子速度高、電子密度高、電子遷移率高及導熱率高等,是一種適用于高頻、高壓、高溫、大功率的抗輻射等級高的半導體材料。由于GaN器件的開關特性、驅動技術及損耗機制相比Si MOSFET有顯著差異,如何實現合理的驅動,對發揮其優勢至關重要。以同步Buck變換器為例提出一種諧振驅動技術,并給續流管柵極加一偏置電壓,以減小反向壓降、提高效率。實驗結果表明,此諧振驅動技術可有效提高驅動的可靠性,加載偏置電壓后變換器的效率也可得到有效提高。