大功率IGBT器件并聯均流研究

摘要：為提升器件電流等級，大功率IGBT往往由多個芯片與子單元并聯組成。當芯片與子單元并聯時，有效控制器件內部的均流效果非常重要。文章分析了寄生電感對器件均流的影響，并通過理論推導分析了芯片參數對靜態均流的影響，最后通過仿真和實驗驗證了芯片參數對動態均流的影響。結果表明，主回路寄生參數的不對稱對均流的影響大于芯片參數差異的，而兩者對開通均流的影響又都大于對關斷均流的影響。