摘要：采用溝槽柵結(jié)構(gòu)、軟穿通（SPT）技術(shù)和載流子存儲(chǔ)層技術(shù)研制出一款增強(qiáng)型溝槽柵型（TMOS＋）3300VIGBT芯片，其具有更低通態(tài)壓降、更高功率密度和更優(yōu)的關(guān)斷安全工作區(qū)性能。高溫（Tj=150℃）工況下，芯片的通態(tài)壓降比相同電壓等級(jí)增強(qiáng)型平面柵型（DMOS＋）IGBT的約低25％，并能安全關(guān)斷11倍額定電流；同等外形尺寸條件下，TMOS＋型IGBT模塊的電流等級(jí)（1800A）比DMOS＋型的提升了20％，可滿足更高功率容量的應(yīng)用需求。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
期刊名稱：大功率變流技術(shù)
大功率變流技術(shù)雜志緊跟學(xué)術(shù)前沿，讀者對(duì)象主要為從事變流技術(shù)、電傳動(dòng)與控制自動(dòng)化領(lǐng)域研究和開(kāi)發(fā)的科研人員，企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)和管理人員，以及大中專院校相關(guān)專業(yè)的師生，行業(yè)涉及交通（包括鐵道交通、城市軌道交通、電動(dòng)汽車等）、電力、冶煉、礦業(yè)開(kāi)采、軍工等。緊貼讀者，堅(jiān)持指導(dǎo)性與實(shí)用性相結(jié)合的原則，創(chuàng)辦于1978年，雜志在全國(guó)同類期刊中有很重的學(xué)術(shù)價(jià)值。