CMP拋光壓力校準(zhǔn)的研究與應(yīng)用

摘要：拋光壓力是影響化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)效果的重要參數(shù)之一,為了更精準(zhǔn)地控制拋光頭加載壓力和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)壓力,通過分析壓力加載和獲取的方法,應(yīng)用最小二乘法對(duì)壓力進(jìn)行校準(zhǔn),在實(shí)際加工中取得了理想的效果,實(shí)現(xiàn)了更好的工藝性能。