一種陽極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管

摘要：在傳統AlGaN/GaN肖特基二極管中,陽極漏電始終是制約器件耐壓提高的一個重要因素。因此文中研究了在緩沖層中生長P型埋層并與陽極相連的AlGaN/GaN肖特基二極管結構AC-PBL FPs SBD來抑制陽極的泄漏電流。同時,在二極管的兩級均加上場板來調制該器件的表面電場分布。經過仿真驗證可知,該結構的陽極關斷泄漏電流得到了有效抑制,同時輔助耗盡溝道內的2DEG,擴大空間電荷區,進而提高了器件的耐壓特性。該結構的擊穿電壓為733 V,與傳統GET SBD器件相比,擊穿電壓提高了近3.4倍,Baliga優值提升了近11.6倍,說明該器件可以應用在電力電子線路中。