淺溝槽隔離對(duì)MOSFET電學(xué)特性的影響

摘要：隨著工藝制程的不斷進(jìn)展,淺溝槽隔離技術(shù)(STI)成為深亞微米后的主流隔離技術(shù)。文章通過測試分析不同柵到有源區(qū)距離(SA)晶體管(MOSFET)器件的柵和襯底電流,分析了180nm N溝道晶體管中STI對(duì)于柵和襯底電流的影響。結(jié)果表明柵電流隨著SA的縮小呈現(xiàn)先縮小后增大的趨勢,襯底電流在常溫以及高溫下都隨著SA的減小而減小。文章用應(yīng)力機(jī)制導(dǎo)致的遷移率以及載流子濃度的變化對(duì)柵和襯底電流的變化趨勢進(jìn)行了分析,通過改進(jìn)伯克利短溝道絕緣柵場效應(yīng)晶體管模型(BSIM)模擬了STI對(duì)襯底電流的影響,為設(shè)計(jì)人員進(jìn)行低功耗設(shè)計(jì)提供了襯底電流模型。