100nm GaN基6~18GHz低噪聲放大器的研制

摘要：基于南京電子器件研究所的100nm GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了6~18GHz寬帶低噪聲放大器。低噪聲單片電路采用了三級結(jié)構(gòu),偏置電壓為12V,電流約為70mA時,在6~18GHz頻帶內(nèi)噪聲系數(shù)小于1.7dB,增益大于25dB,駐波比小于2,1 dB增益壓縮點(diǎn)輸出功率帶內(nèi)最小值約為10dBm。前兩級采用電流復(fù)用結(jié)構(gòu),降低了功耗;后級采用并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu),改善帶內(nèi)增益平坦度。芯片尺寸為2.0mm×1.35mm。