摘要:基于4英寸前照式576×288EMCCD晶圓,設(shè)計(jì)了背照式EMCCD器件結(jié)構(gòu),給出了背照式集成制備工藝方案及工藝過(guò)程。對(duì)所制備的576×288背照式EMCCD器件進(jìn)行了性能測(cè)試,并完成了成像驗(yàn)證,峰值量子效率較前照式顯著提高。
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期刊名稱:集成電路通訊
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