銅綠假單胞菌對CrCoNi中熵合金微生物腐蝕行為的影響

摘要：采用多種電化學實驗手段及場發射掃描電子顯微鏡(FESEM)、激光共聚焦掃描顯微鏡(CLSM)等分析技術,結合活死細菌染色實驗、點蝕坑深度分析等方法,以316L不銹鋼為對比,研究了CrCoNi中熵合金在含銅綠假單胞菌培養基中的微生物腐蝕行為。結果表明:銅綠假單胞菌能夠在CrCoNi中熵合金表面形成不均勻的生物被膜,從而降低開路電位,減小極化電阻和電荷轉移電阻,增大腐蝕電流密度;銅綠假單胞菌生物被膜在一定程度上破壞了鈍化膜,導致浸泡在含銅綠假單胞菌培養基中的CrCoNi中熵合金的最大點蝕坑深度(4.8μm)大于無菌培養基中CrCoNi中熵合金的最大點蝕坑深度(2.3μm)。與316L不銹鋼相比,CrCoNi中熵合金的開路電位較高,腐蝕電流密度和腐蝕速率較小,鈍化膜的修復能力較強,在含銅綠假單胞菌培養基中浸泡后的最大點蝕坑深度小于316L不銹鋼(5.8μm)。