摘要：基于TSMC 0.18μm RFCMOS工藝,設計了一款應用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射頻發射前端芯片.系統由單轉雙巴倫、混頻器、可變增益放大器和驅動放大器組成,系統架構基于改進的直接上變頻方案.基帶和本振端口的巴倫采用了一種能夠同時實現噪聲和非線性消除及寬帶阻抗匹配的結構,混頻器使用了正交雙平衡基爾伯特結構,可變增益放大器基于跨導可變的共源共柵結構進行設計,驅動放大器采用了具有高線性度和寬帶匹配特性的推挽結構.后仿真結果表明,在3.3 V電源電壓下,該發射前端直流電流為76 m A,版圖面積為2.4 mm×2.0 mm;具有可控電壓增益10-30 dB;輸出1 dB壓縮點大于10.8 dBm;中頻大于25 MHz時,噪聲系數小于8 dB;基帶和射頻端口反射系數小于-20 dB,本振端口反射系數小于-15 dB.
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