Ga沉積量對形成Al Ga As表面納米結構的影響

摘要：利用液滴外延技術在Al0. 4Ga0. 6As表面制備了納米結構并用原子力顯微鏡進行表征,發現納米結構的密度隨金屬Ga沉積量的增加呈先增加后減小再增加的趨勢。這種密度異常變化的現象,主要是由于液滴之間相互擴散并最終形成連續的平坦層,隨著沉積量的繼續增加,新吸附的Ga原子在平坦層上面形成新的Ga液滴,從而導致了密度的降低。此外,納米結構的孔深、孔徑、環高和盤徑幾何特征尺寸隨著沉積量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]兩個方向上納米結構中的量子環以及盤狀結構的形貌特征呈現各向異性。