管式PECVD設備多晶硅鍍膜均勻性的改善研究

摘要：為改善多晶硅片在管式PECVD設備中的鍍膜均勻性,主要從鍍膜工藝參數的設定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態這3個方面進行了鍍膜均勻性研究。結果表明:在保證良率的前提下,當外層壓力為1700 mTorr、內層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W時,調節直接鏈接變量(DLV)優化石墨舟各區溫度且定期清理腔體內部的碎片可改善鍍膜均勻性;在一定范圍內,制絨面反射率增加,片內均勻性更優;新石墨舟對鍍膜均勻性有明顯改善,在使用周期內,運行30次時均勻性達到最優。