累積總吸收劑量對SRAM瞬時劑量率翻轉效應的影響

摘要：為研究累積總劑量輻照對SRAM瞬時劑量率翻轉效應的影響,選取特征尺寸為 180 nm 的商用SRAM在 60 Co γ輻射源及“強光一號”加速器上進行了累積總劑量效應與瞬時劑量率效應的實驗研究。實驗結果表明,在累積總吸收劑量分別為100 krad(Si)和150 krad(Si)時, 180 nm SRAM瞬時劑量率翻轉對累積總劑量輻照實驗過程中的寫入數據都表現出“反印記效應”依賴性,即當SRAM芯片在累積總劑量輻照實驗中與瞬時劑量率輻照實驗中寫入的數據類型相同時,該數據類型的瞬時劑量率敏感性增大,更容易發生翻轉。