CO2活化對聚硅氧烷裂解SiC衍生炭孔結構的影響

摘要：經聚硅氧烷裂解轉化得到碳化硅粉體,然后對其進行氯化處理得到炭,再通過CO2活化處理得到具有高比表面積(1316.8~1929.0m^2·g^-1)的微孔炭(SiC-DC)材料。研究了CO2活化溫度、時間對SiC衍生多孔炭結構的影響。采用氮氣吸附法、X-ray衍射光譜(XRD)、掃描電鏡(SEM)及透射電鏡(TEM)等技術對SiC-DC樣品微觀結構隨活化溫度、時間演變進行表征分析。結果表明,CO2活化處理可以有效調控SiC-DC的孔結構,而對其結晶性影響很小,且活化處理后樣品保持著SiC粉體或未活化SiC-DC樣品的原有形態和微觀結構(如石墨帶)。對于已活化SiC-DC樣品,比表面積(SSA)、總孔容(Vtot)及微孔孔容都隨活化溫度、時間增加而增加,但同時活化產率逐漸降低。相比未活化樣品,SiC-DC在950℃條件下活化處理2h后,SSA和Vtot值分別增加了46.5%、86.4%,主要原因是經活化處理,微孔孔容明顯增加。