CaBi2Ta2O9基壓電陶瓷的A位摻雜改性研究

摘要：該文采用固相反應法制備了鉍層狀結構Ca1-x(LiCe)x/2Bi2Ta2O9(CBT-LC100x)高居里溫度(TC)壓電陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.5)2+復合離子摻雜對CaBi2Ta2O9(CBT)基陶瓷晶體結構、介電、壓電等性質的影響。結果表明,在選定(Li0.5Ce0.5)2+摻雜濃度范圍內,CBT-LC100x陶瓷呈正交晶體結構。隨著x增加,TC趨于降低,從941℃降低至924℃。Ce離子的施主摻雜效應有利于電阻率及壓電活性的提高,當x=0.06(x為摩爾分數)時,具有最優綜合性能,TC約為924℃,壓電常數d33約為8.1pC/N,650℃時電阻率為1.7×106Ω·cm。