摘要：采用不同制備工藝(即SiC粉體的預(yù)氧化處理),以Al2O3-MgO-Y2O3為燒結(jié)助劑,在1 900℃下無(wú)壓燒結(jié)制備SiC陶瓷.用XRD和SEM分析SiC陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和表面形貌.結(jié)果表明:碳化硅粉料未經(jīng)預(yù)氧化處理,制備出的SiC陶瓷表面孔隙相對(duì)較小,密度相對(duì)較高.SiO2薄層的形成不利于制備高密度、高強(qiáng)度的SiC陶瓷樣品.
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