ICP-CVD設備低溫制備低應力氮化硅薄膜工藝的探索

摘要：制備低應力的氮化硅薄膜是微機械系統(tǒng)和集成電路中非常重要的工藝。在溫度不高于80℃的條件下,采用ICP-CVD設備,利用硅烷和氮氣作為前驅(qū)體沉積氮化硅介質(zhì)薄膜。研究了沉積溫度、ICP功率、硅烷與氮氣流量比例、工作氣壓等因素對氮化硅薄膜應力的影響,并利用相關(guān)的理論合理解釋了應力隨不同工藝參數(shù)變化的原因。根據(jù)研究結(jié)果,我們優(yōu)化了氮化硅薄膜沉積的工藝參數(shù),在70℃低溫條件下,制備出厚度160 nm,應力0.03 MPa的低應力氮化硅介質(zhì)薄膜。